氮化硅技术资料-面氮化物薄膜-立方氮化硼-衬底氮化镓-裂纹氮化镓-介电氮化类资料(298元/全套)选购时请记住本套资料(光盘)售价:298元;资料(光盘)编号:F150126
敬告:我公司只提供技术资料,不能提供任何实物产品及设备,也不能提供生产销售厂商信息。
《氮化硅资料》包括专利技术全文资料459份。
0001)碳化硅(*)局部硅(*)氮化硅基复合陶瓷及其活塞顶
0013)高强度氮化硅多孔体及其制造方法
0014)含有氧化钇、_氧化镧和氧化铝的氮化硅陶瓷及制造方法
0015)基本上没有氧化诱生堆垛层错的掺氮硅
0016)晶须补强氮化硅复合材料制造方法
0017)具有控制应力的氮化硅膜
0018)氮化硅膜的制造方法
0019)一种低温制备氮化硅粉体材料的方法
0020)以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β(*)P型信道氮化硅只读存储器的擦除方法
0022)一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法
0023)利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法
0024)氮化硅的自研磨
0025)聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
0026)氮化铝/硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法
0027)氮化硅电开水器
0028)密封氮化硅过滤器的方法和密封组合物
0029)制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法
0030)氮化硅用作医用生物材料的组合物、生产和应用
0031)无缺陷氮化硅晶须的制备
0032)氮化硅只读存储器的结构与制造方法
0033)通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
0034)具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
0035)在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法
0036)超细氮化硅微粉气相合成新工艺
0037)氮化硅质过滤器的制造方法
0038)聚(1,2(*)含氯的硅氮烷聚合物,其制备方法,由其可制备的含氮化硅陶瓷材料及材料的制备
0040)一种氮化硅非水基流延浆料及其制备方法
0041)蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
0042)可烧结陶瓷粉及其制备方法以及用该陶瓷粉制造的氮化硅陶瓷及其制造方法和用途
0043)制备纳米氮化硅粉体的系统
0044)编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法
0045)制造氮化硅粉末的方法
0046)在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
0047)氮化硅多孔体及其制造方法
0048)氮化硅陶瓷粉末的生产方法
0049)每单元二位与非门氮化硅陷获存储器
0050)一种含替加氟和氮杂硅三环的磷酰胺酯化合物
0051)用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法
0052)无压烧结高韧性氮化硅基陶瓷材料及其制造方法
0053)低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备
0054)硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
0055)自蔓延高温合成氮化硅铁粉末的制备方法
0056)形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
0057)聚硅氮烷组合物催化聚合控制方法
0058)一种氮化硅燃烧合成过程中增压调控的生产方法
0059)供高温力学量传感器用的纳米多晶硅(*)一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法
0061)一种形成硅氧氮化物层的方法
0062)含有氮化硅的耐久性硬质涂层
0063)纳米非晶原位合成氮化硅晶须
0064)自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法
0065)用于金属硅氮化物、氧化物或氮氧化物的ALD/CVD的Ti、Ta、Hf、Zr及相关金属硅氨化物
0066)用于氮化硅陶瓷及氮化硅陶瓷基复合材料钎焊的高温钎料
0067)氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
0068)采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅
0069)铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法
0070)一种用于高纯粉体分级的氮化硅陶瓷分级叶轮
0071)聚氯硅氮烷,其制备方法,由其制备的含氮化硅陶瓷材料及该材料的制备
0072)用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法
0073)在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
0074)一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法
0075)用于电致发光显示器的氧氮化硅钝化的稀土激活硫代铝酸盐磷光体
0076)由二氧化硅碳氮共渗制备氮化硅的方法以及无晶须的颗粒氮化硅
0077)含有α(*)一种方镁石氮化硅复合耐火制品及制备方法
0079)原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法
0080)一种氮化硅透波材料的制备方法
0081)双管加压制备氮化硅超细粉的方法
0082)降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法
0083)晶须增韧补强氮化硅复相陶瓷刀具材料
0084)在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
0085)浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法
0086)去除硅片背面氮化硅膜的方法
0087)制造氧氮化硅的方法
0088)一种制备螺旋状氮化硅陶瓷晶须的方法
0089)荧光氮化硅基纳米线及其制备方法
0090)使用二(叔丁基氨基)硅烷淀积二氧化硅和氧氮化硅
0091)氮化硅薄膜及其制造方法
0092)一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法
0093)一种氮化硅膜的生长方法
0094)高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法
0095)氮化硼(*)氮化硅发热体及其制造方法
0097)制造氮化硅只读存储器的方法
0098)中间包水口用氮化硅结合碳化硅耐火材料
0099)金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
0100)硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
0101)一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
0102)一种氮化硅陶瓷颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
0103)化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法
0104)低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
0105)氧化硅和氧氮化硅的低温沉积
0106)一种透明β(*)一种β(*)氮化硅锰铁合金
0109)用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法
0110)利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法
0111)除去氮化硅膜的方法
0112)氮化硼纤维补强反应烧结氮化硅陶瓷
0113)氮化硅只读存储单元的位的读取方法
0114)定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法
0115)聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
0116)氮化硅陶瓷发热体的微波炉烧结制备方法及专用设备
0117)从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
0118)以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法
0119)氮化硅质蜂窝式过滤器及其制造方法
0120)氮化硅存储器件及其制造方法
0121)基于碳化硅与氮化硅粘合剂的烧结耐火砖
0122)一种无内圈式热等静压氮化硅全陶瓷球轴承及其制造方法
0123)一种含氮化硅铁的Al2O3(*)交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁
0125)逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法
0126)一种热等静压氮化硅全陶瓷电主轴及其制造方法
0127)氮化硅纳米材料的低温固相反应制备
0128)流化床直接制取氮化硅的装置及其方法
0129)在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
0130)一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法
0131)酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
0132)氮化硅陶瓷发热体
0133)移除氮化硅层的方法
0134)化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法
0135)用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
0136)控温燃烧合成α相氮化硅粉体的方法
0137)新型硅氮烷和/或聚硅氮烷化合物及其制备方法
0138)氮化硅工程陶瓷烧结新工艺
0139)用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法
0140)用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
0141)氮化硅陶瓷导轮
0142)一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法
0143)钎焊氮化硅陶瓷的钎料及以该钎料连接氮化硅陶瓷的方法
0144)流化床直接制取氮化硅的装置
0145)氮化硅耐磨部件及其制造方法
0146)氮化硅车用电热杯
0147)一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法
0148)具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法
0149)氮化硅陶瓷细长工件的生产工艺技术
0150)氮化硅陶瓷及其成型工艺
0151)氮化硅电开水炉
0152)通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
0153)常压燃烧合成氮化硅粉体的方法
0154)一种层状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法
0155)具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构
0156)添加氧化镁及稀土氧化物的烧结氮化硅陶瓷
0157)硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件
0158)一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法
0159)一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法
0160)氮化硅粉体α相转相装置
0161)采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
0162)一种氮化锰硅合金及其冶炼方法
0163)氮化硅发热装置
0164)一种高强度、高韧性的氮化硅陶瓷液相烧结法
0165)在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度
0166)二硅化钼硅铝氧氮聚合材料复合发热体及其制备方法
0167)含氮有机硅化合物、其制备方法和处理表面的方法
0168)聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法,可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方
0169)具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底
0170)使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
0171)减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
0172)聚硅氮烷和其制备方法以及可由该聚硅氮烷制得的含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法
0173)在乏硅环境下使用等离子增强化学气相沉积制程的金属栅极的氮氧间隔体的形成方法
0174)氮化硅烧结体及其制造方法
0175)增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法
0176)通过碳热还原制成的陶瓷用氮化硅粉末及其制造工艺
0177)利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法
0178)氮化硅只读存储器的制造方法
0179)由硅化镁燃烧合成氮化硅镁粉体的制备方法
0180)一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
0181)一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法
0182)一种纳米级氮化钛-氮化硅复合材料的制备方法
0183)碘辅助低温制备氮化硅纳米材料的方法
0184)P型氮化硅只读存储器器件的初始化方法
0185)用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
0186)氮化硅只读存储器组件的制造方法
0187)蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
0188)自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法
0189)多取代含氯硅氮烷聚合物,其制备方法,由此可制得的含氮化硅的陶瓷材料及其制备
0190)高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法
0191)一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链的制备方法
0192)硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
0193)氮化硅内存的制造方法
0194)以氮化物作烧结助剂的氮化硅基陶瓷
0195)以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法
0196)制备氮杂氧化钛(*)含氮有机硅化合物、其制备方法和处理表面的方法
0198)钎焊氮化硅陶瓷的钎料及钎焊氮化硅陶瓷的方法
0199)一种自增韧氮化硅陶瓷线材精轧辊材料及其制备方法
0200)氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法
0201)利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线
0202)氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
0203)氮化硅粉末的制造方法及设备
0204)用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物
0205)在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法
0206)漏电安全型氮化硅发热体
0207)制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置
0208)氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
0209)氮化硅粉、其烧结体、基板、及由此的电路板和热电元件模块
0210)一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
0211)用于制备氮化硅间隔物结构的方法
0212)具有高疲劳寿命的氮化硅轴承球
0213)硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅快闪存储器及其制作方法
0214)用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质
0237)一种提高氮化硅陶瓷抗氧化性能的表面改性方法
0247)提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
0248)高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法
0249)提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
0250)氮杂新烷基硫化物和氮杂新硅烷基硫化物、它们的制备方法、含有它们的制剂、以及它们作为杀虫剂的应用
0251)常压氮气保护制备复合功能硅化钛镀膜玻璃及其制备方法
0252)晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法
0253)制造氮化硅只读存储器的方法
0254)一种造粒燃烧合成氮化硅的生产方法
0255)碳氮化硅酸盐发光物质
0256)碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
0257)氮化硅陶瓷点火装置
0258)具至少一种氮化硅或氧氮化硅基薄层的透明基体及其制法
0259)基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法
0260)制备氮化硅膜的方法
0261)氮化硅电路板
0262)一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法
0263)一种用于炼铁高炉的氮化硅刚玉质浇注耐火材料
0264)重烧结氮化硅陶瓷制备方法
0265)一种超高韧性氮化硅基复合材料的制备方法
0266)硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
0267)氮化硅电热水器
0268)低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
0269)具有含氮原子的单元的硅化合物
0270)用单晶片低压CVD淀积氧化硅和氮氧化物的方法
0271)氮化硅只读存储器的制造方法
0272)硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
0273)用于降低后段处理中紫外线引起的硅(*)用氮化铝和氮化铝:碳化硅合金制成的仿真钻石宝石
0275)氮化硅点火器
0276)反应结合氮化硅体浸渍工艺
0277)形成氮氧化硅的方法
0278)应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
0279)氮化硅耐磨部件及其制造方法
0280)等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统
0281)氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
0282)氮化硅层的形成方法
0283)制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置
0284)高纯氮化硅超细粉磨技术
0285)一种生产高强度氮化硅结合碳化硅制品的方法
0286)永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器
0287)平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
0288)一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液
0289)硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
0290)用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
0291)一种改性纳米氮化硅粉体及其制备方法和用途
0292)氮化硅只读存储元件的操作方法
0293)中碳硅钒氮微合金化非调质钢
0294)形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
0295)制备氮化硅叠层的方法
0296)形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法
0297)氮化硅烧结体的制造方法
0298)用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底
0299)碳氮共掺法制备氮化硅的连续工艺和制得的氮化硅
0300)一种提高氮化硅基陶瓷性能/价格比的方法
0301)用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法
0302)去除氮化硅保护层针孔的方法
0303)自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法
0304)氮化硅涂层钢领及其制备方法
0305)使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
0306)氮化硅的热化学气相沉积
0307)形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备
0308)氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件
0309)用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
0310)高韧性氮化硅基陶瓷刀具材料及其制造方法
0311)氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺
0312)纳米碳化硅-氮化硅复相陶瓷及其制备方法
0313)通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量
0314)一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
0315)包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法
0316)氮化硅只读存储器及其制造方法
0317)氮化硅电荷捕获存储器件
0318)通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法
0319)硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法
0320)设有环形应力缝的自结合碳化硅、氮化硅结合碳化硅棚板
0321)包含掺入的含聚醚基硅氧烷衍生物和氮杂环的氨基甲酸酯化合物
0322)基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法
0323)用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法
0324)氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
0325)降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法
0326)用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
0327)由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
0328)一种半导体器件含氮双栅氧化硅层的制备方法
0329)氮化硅陶瓷连杆衬套及其制备方法
0330)碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
0331)一种工业化生产3R,4R(*)具有埋设金属硅化物位线的金属氧氮氧半导体装置
0333)氮化硅结合SiC耐火材料及其制造方法
0334)G3级氮化硅球加工工艺
0335)氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
0336)含硅(*)快速制备高强度氮化硅(*)半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
0339)一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料
0340)一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法
0341)具有氮化硅(*)叠氮硅烷改性的可湿气固化的聚烯烃聚合物及其制备方法和用其制备的制品
0343)氮化硅基复合烧结体及其生产方法
0344)一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法
0345)单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜类P-N结及其制作方法
0346)形成高质量低温氮化硅层的方法和设备
0347)新型半石墨化碳氮化硅砖及其制造方法
0348)多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
0349)氮化硅涂层坩埚
0350)聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法,可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方法
0351)一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法
0352)程控式可控硅降压变压器低压大电流氮化炉供电装置
0353)碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料的制造方法
0354)一种利用硫辅助反应低温制备氮化硅纳米棒的方法
0355)硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
0356)氮化硅/氮化硼复合材料及其制造方法
0357)活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
0358)控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法
0359)氮化硅和碳化硅一维纳米结构及其制备方法
0360)高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法
0361)利用流化床技术常压连续合成氮化硅粉末的方法
0362)制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法
0363)一种断裂韧性高的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法
0364)多孔氮化硅陶瓷及其生产方法
0365)反应烧结氮化硅粉技术
0366)一种泡沫氮化硅陶瓷的制备方法
0367)微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法
0368)具有高导热性的氮化硅烧结体及氮化硅结构部件
0369)一种高热导氮化硅陶瓷的制备方法
0370)用于有机硅化物玻璃的一氧化二氮去除光刻胶的方法
0371)高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法
0372)碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
0373)一种氮化硅铁的微波合成方法
0374)高α(*)用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
0376)用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷
0377)一种具有高抗氧化性能的氮化硅陶瓷及其制备方法
0378)高致密氮化硅反应烧结体的快速制备方法
0379)带有氮化硅陶瓷叶轮、导叶的注水泵及其制作方法
0380)交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁
0381)高热导率、高强度氮化硅陶瓷制造方法
0382)聚硅氮烷组合物以及具有该固化材料的涂覆成形制品
0383)等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺
0384)氮化硅只读存储器及其制造方法
0385)半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
0386)一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法
0387)含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法
0388)利用检测闸门氧化硅层中氮化物含量的半导体元件制成方法
0389)氮化硅的化学气相沉积方法
0390)自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
0391)氮化硅(*)化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法
0393)高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法
0394)氮化硅电梯安全制动器
0395)使用具有基于氧化硅和氧化钛的载体的催化组合物处理气体以减少氮氧化物排放的方法
0396)热稳定、可湿固化的聚硅氮烷和聚硅氧氮烷
0397)一种氮化硅纳米线的制备方法
0398)借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
0399)一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法
0400)控温活化自蔓延燃烧合成α相氮化硅粉体的方法
0401)氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法
0402)多弧离子镀钛铝铬硅钇氮化物多组元超硬反应膜的制备方法
0403)导电性氮化硅复合烧结体及其制备方法
0404)在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
0405)一种中空式环状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法
0406)碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的Ⅲ族氮化物光子器件
0407)氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
0408)采用纳米碳管模板法制备氮化硅纳米丝的方法
0409)具有结晶碱土金属硅氮化物/氧化物与硅界面的半导体结构
0410)以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
0411)一种自增强氮化硅陶瓷体及其制备方法
0412)在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法
0413)防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构
0414)立方氮化硅材料的冲击波合成方法及合成装置
0415)一种去除硅片背面氮化硅的方法
0416)高致密、低气孔率氮化硅(*)化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物与方法
0418)一种氮化硅/氮化钛纳米复合材料的制备方法
0419)通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
0420)提高超薄等离子体氮氧化硅电性测试准确性的方法
0421)高耐磨性高韧性氮化硅基陶瓷刀具材料
0422)一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺
0423)超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法
0424)处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法
0425)作为氢化硅烷化催化剂的三氮烯氧化物——过渡金属配合物
0426)氮化硅陶瓷及其制备工艺
0427)一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备
0428)氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法
0429)贵金属负载介孔氮氧化硅复合催化剂及其制备方法
0430)具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法
0431)氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法
0432)氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽的方法
0433)复合稀土硅/铝氮氧化物透红外材料及其制备方法
0434)掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
0435)在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
0436)半石墨化碳氮化硅材料及其生产方法
0437)无氧溶胶(*)胶态成型制备氮化硅耐磨陶瓷的优化设计方法
0439)聚氢化氯硅氮烷、其制备方法、由其制备的含氮化硅的陶瓷材料及其制备
0440)多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法
0441)氮化硅结合碳化硅材料作侧衬砖的铝电解槽
0442)一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法
0443)原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法
0444)高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
0445)低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法
0446)掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置
0447)碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
0448)无氧溶胶(*)氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法
0450)氮化硅基复合材料燃烧合成方法
0451)用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
0452)一种低温制备氮化硅粉体材料的方法
0453)在高介电常数的介电材料上的硅的氮氧化物层的形成
0454)一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法
0455)高强度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制备方法
0456)基于氮化铝缓冲层的硅基3C(*)工字型氮化硅结合碳化硅横梁
0458)氮化硅只读存储器的制造方法
0459)一种金属与玻璃封接的氮化硅模具和模具的制造方法
查询更多技术请点击:
中国创新技术网(http://www.887298.com)
金博专利技术网(http://www.39aa.net)
金博技术资料网(http://www.667298.com)
购买操作说明(点击或复制)(http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt)
本部(辽宁日经咨询有限公司技术部)拥有各种专利技术、技术文献、论文资料近20万套500多万项,所有专利技术资料均为国家发明专利、实用新型专利和科研成果,资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书(PDF格式,没有录像及视频),承载物是光盘,可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱(网传免收邮费)。
(1)、银行汇款:本套资料标价(是网传价,不包含邮费,如邮寄光盘加收15元快递费,快递公司不能到达的地区加收22元的邮政特快专递费)汇入下列任一银行帐号(需带身份证),款到发货!
中国农业银行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中国邮政银行:602250302200014417 收款人: 王雷
中国建设银行:0600189980130287777 收款人: 王雷
中国工商银行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中国 银行:418330501880227509 户 名:王雷
欢迎通过淘宝、有啊、拍拍等第三方平台交易,请与QQ:547978981联系办理。
邮局地址汇款:117002辽宁省本溪市溪湖顺山科报站 收款人: 王雷
汇款后请用手机短信(13050204739或13941407298)通知,告诉所需技术光盘名称、编号、数量及收货人姓名、邮政编码和详细地址。(如需网传请告邮箱地址或QQ号)
单位:辽宁日经咨询有限公司(技术部)
地址:辽宁省本溪市溪湖顺山科报站
联系人:王雷老师
电 话:0414-2114320 3130161
手 机:13941407298
客服QQ:547978981 824312550 517161662
货到付款:办理货到付款业务请与QQ:547978981联系。
本公司经营技术,质量保证,欢迎咨询洽谈。