器件类型静电破坏电压(V) 器件类型 静电破坏电压(V)
VMoS 30～1800OP-AMP190～2500
M0SFET 100～200JEFT 140～1000
GaAsFET 100～300SCL680～1000
PROM 100STTL300～2500
CMoS250～2000DTL380～7000
HMOS50～500肖特基二极管300～3000
E／DMOS200～1000双极型晶体管380～7000
ECL 300～2500石英压电晶体＜10000
从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。
